本课程系统介绍半导体材料的基础知识、制备技术与前沿发展。内容涵盖半导体概论、晶体生长原理与技术，并深入剖析硅、锗等元素半导体，以及III-V族、II-VI族和GaN、ZnO、SiC等新型化合物半导体的性质、提纯、制备工艺与掺杂技术。课程理论与实践并重，旨在帮助学生构建半导体材料领域的完整知识体系。

第一章 半导体材料概论
第二章 晶体生长原理
第三章 晶体生长技术
第四章 元素半导体硅的基本性质
第五章 硅和锗的化学提纯
第六章 区熔原理和区熔硅
第七章 直拉提纯和直拉硅单晶
第八章 硅单晶的掺杂和缺陷
第九章 硅薄膜材料
第十章 III-V族化合物半导体
第十一章 新型半导体材料GaN
第十二章 II-VI族化合物半导体
第十三章 新型半导体材料ZnO
第十四章 新型半导体材料SiC
第十五章 浙江大学硅材料研究




课程详细目录：
├─{01}--第一章半导体材料概论
│ ├─{01}--1.1半导体材料的研究和应用（上）
│ │ [1.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--1.2半导体材料的研究和应用（下）
│ │ [1.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--1.3半导体材料的分类
│ │ [1.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--1.4半导体材料电学特征
│ │ [1.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--1.5半导体材料结构特性
│ │ [1.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{06}--1.6中国半导体材料产业
│ │ [1.6.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{07}--1.7半导体材料展望
│ [1.7.1]--课程视频.mp4
│
├─{02}--第二章晶体生长原理
│ ├─{01}--2.1半导体晶体材料
│ │ [2.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--2.2晶体生长的热力学理论（上）
│ │ [2.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--2.3晶体生长的热力学理论（中）
│ │ [2.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--2.4晶体生长的热力学理论（下）
│ │ [2.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--2.5晶体生长的动力学理论
│ │ [2.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--2.6晶体的外形
│ [2.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{03}--第三章晶体生长技术
│ ├─{01}--3.1熔体生长晶体技术（一）
│ │ [3.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--3.2熔体生长晶体技术（二）
│ │ [3.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--3.3溶液生长晶体技术
│ │ [3.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--3.4气相生长晶体技术
│ │ [3.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{05}--3.5固相生长晶体技术
│ [3.5.1]--课程视频.mp4
│
├─{04}--第四章元素半导体硅的基本性质
│ ├─{01}--4.1硅的基本性质
│ │ [4.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--4.2硅的结构性质
│ │ [4.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--4.3硅的电学性质
│ │ [4.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--4.4硅的化学性质
│ │ [4.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--4.5硅的光学性质
│ │ [4.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{06}--4.6硅的其他性质
│ │ [4.6.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{07}--4.7硅的常见形式
│ [4.7.1]--课程视频.mp4
│
├─{05}--第五章元素半导体硅和锗的化学提纯
│ ├─{01}--5.1金属硅的制备
│ │ [5.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--5.2半导体级高纯多晶硅的制备（上）
│ │ [5.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--5.3半导体级高纯多晶硅的制备（中）
│ │ [5.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--5.4半导体级高纯多晶锗的制备（下）
│ │ [5.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--5.5太阳能级多晶硅的物理冶金制备
│ │ [5.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--5.6半导体级高纯多晶锗的制备
│ [5.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{06}--第六章区熔原理和区熔硅
│ ├─{01}--6.1分凝（上）
│ │ [6.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--6.2分凝（中）
│ │ [6.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--6.3分凝（下）
│ │ [6.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--6.4区熔的原理
│ │ [6.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--6.5区熔硅单晶（上）
│ │ [6.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--6.6区熔硅单晶（下）
│ [6.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{07}--第七章直拉提纯和直拉硅单晶
│ ├─{01}--7.1直拉硅单晶
│ │ [7.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--7.2直拉硅单晶生长的基本工艺（上）
│ │ [7.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--7.3直拉硅单晶生长的基本工艺（中）
│ │ [7.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--7.4直拉硅单晶生长的基本工艺（下）
│ │ [7.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--7.5单晶生长的主要影响因素
│ │ [7.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{06}--7.6新型直拉硅单晶生长工艺
│ │ [7.6.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{07}--7.7直拉硅单晶的加工（上）
│ │ [7.7.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{08}--7.8直拉硅单晶的加工（下）
│ [7.8.1]--课程视频.mp4
│
├─{08}--第八章硅单晶的掺杂和缺陷
│ ├─{01}--8.1直拉硅单晶的掺杂技术（上）
│ │ [8.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--8.2直拉硅单晶的掺杂技术（下）
│ │ [8.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--8.3直拉硅单晶的掺杂浓度
│ │ [8.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--8.4直拉硅单晶的轻元素杂质
│ │ [8.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--8.5直拉硅中金属杂质
│ │ [8.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--8.6直拉硅单晶的缺陷
│ [8.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{09}--第九章硅薄膜材料
│ ├─{01}--9.1单晶硅薄膜材料（上）
│ │ [9.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--9.2单晶硅薄膜材料（下）
│ │ [9.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--9.3绝缘体上的单晶硅薄膜
│ │ [9.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--9.4非晶硅薄膜材料（上）
│ │ [9.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--9.5非晶硅薄膜材料（下）
│ │ [9.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--9.6多晶硅薄膜
│ [9.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{10}--第十章III-V族化合物半导体
│ ├─{01}--10.1III-V族化合物半导体的性质
│ │ [10.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--10.2GaAs半导体材料（上）
│ │ [10.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--10.3GaAs半导体材料（中）
│ │ [10.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--10.4GaAs半导体材料（下）
│ │ [10.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{05}--10.5其他III-V族化合物半导体
│ [10.5.1]--课程视频.mp4
│
├─{11}--第十一章新型半导体材料GaN
│ ├─{01}--11.1GaN的基本性质（上）
│ │ [11.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--11.2GaN的基本性质（下）
│ │ [11.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--11.3GaN的晶体结构和能带
│ │ [11.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--11.4GaN单晶的制备
│ │ [11.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--11.5GaN薄膜单晶的制备
│ │ [11.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--11.6GaN薄膜单晶的掺杂
│ [11.6.1]--课程视频.mp4
│
├─{12}--第十二章II-VI族化合物半导体
│ ├─{01}--12.1II-VI族化合物半导体的性质
│ │ [12.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--12.2II-VI族化合物半导体的制备
│ │ [12.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--12.3CdTe半导体材料
│ │ [12.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{04}--12.4II-VI族多元化合物材料
│ [12.4.1]--课程视频.mp4
│
├─{13}--第十三章新型半导体材料ZnO
│ ├─{01}--13.1ZnO的基本性质
│ │ [13.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--13.2ZnO的晶体结构、能带及体单晶制备
│ │ [13.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--13.3ZnO薄膜单晶的制备
│ │ [13.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{04}--13.4ZnO单晶的掺杂
│ [13.4.1]--课程视频.mp4
│
├─{14}--第十四章新型半导体材料SiC
│ ├─{01}--14.1SiC的基本性质（上）
│ │ [14.1.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{02}--14.2SiC的基本性质（下）
│ │ [14.2.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{03}--14.3SiC的晶体结构和能带
│ │ [14.3.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{04}--14.4SiC体单晶的制备
│ │ [14.4.1]--课程视频.mp4
│ │
│ ├─{05}--14.5SiC薄膜单晶的制备
│ │ [14.5.1]--课程视频.mp4
│ │
│ └─{06}--14.6SiC单晶的掺杂
│ [14.6.1]--课程视频.mp4
│
└─{15}--第十五章浙江大学硅材料研究
└─{01}--浙江大学硅材料研究
[15.1.1]--课程视频.mp4