本课程系统讲授半导体物理学的基础理论与核心知识。课程从半导体的晶体结构与能带理论出发，深入探讨载流子的统计分布、导电机制、输运过程以及非平衡载流子行为。进而详细分析PN结、金属-半导体接触以及表面与MIS结构等关键器件物理基础，为理解现代半导体器件的工作原理奠定坚实的物理基础。

视频课程目录：
第一单元：半导体能带结构
第二单元：杂质与缺陷能级
第三单元：载流子统计分布
第四单元：载流子输运现象
第五单元：非平衡载流子
第六单元：PN结特性
第七单元：金属-半导体接触
第八单元：表面与MIS结构




├─{01}--第一单元
│ (1.1)--1.1半导体的晶格结构和结合性质.pdf
│ (1.2)--1.2原子的能级和晶体的能带.pdf
│ (1.3)--1.3半导体中的电子状态和能带.pdf
│ (1.4)--1.4半导体中电子的运动与有效质量.pdf
│ (1.5)--1.5半导体的导电机构空穴.pdf
│ (1.6)--1.6回旋共振和半导体能带结构.pdf
│ [1.1]--1.1半导体的晶格结构和结合性质.mp4
│ [1.2]--1.2原子的能级和晶体的能带.mp4
│ [1.3]--1.3半导体中的电子状态和能带.mp4
│ [1.4]--1.4半半导体中电子的运动与有效质量.mp4
│ [1.5]--1.5半导体的导电机构空穴.mp4
│ [1.6]--1.6回旋共振和半导体能带结构.mp4
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├─{02}--第二单元
│ (2.1)--2.1硅、锗晶体中的杂质能级.pdf
│ (2.2)--2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级.pdf
│ (2.3)--2.3缺陷位错能级.pdf
│ [2.1]--2.1硅、锗晶体中的杂质能级.mp4
│ [2.2]--2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级.mp4
│ [2.3]--2.3缺陷、位错能级.mp4
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├─{03}--第三单元
│ │ (3.1)--3.1状态密度.pdf
│ │ (3.3)--3.3本征半导体的费米能级和载流子浓度.pdf
│ │ (3.5)--3.5一般情况下的载流子统计分布.pdf
│ │ (3.6)--3.6简并半导体.pdf
│ │ [3.1]--3.1状态密度.mp4
│ │ [3.3]--3.3本征半导体的费米能级和载流子浓度.mp4
│ │ [3.5]--3.5一般情况下载流子的统计分布.mp4
│ │ [3.6]--3.6简并半导体.mp4
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│ ├─{02}--费米能级和载流子的统计分布
│ │ (3.2.1)--3.2-1费米能级和载流子的统计分布--费米能级和分布函数.pdf
│ │ (3.2.2)--3.2-2费米能级和载流子的统计分布--半导体中的载流子浓度.pdf
│ │ [3.2.1]--3.2-1费米能级和载流子的分布函数.mp4
│ │ [3.2.2]--3.2-2半导体中的载流子浓度.mp4
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│ └─{04}--杂质半导体的费米能级和载流子浓度
│ (3.4.1)--3.4-1杂质半导体的费米能级.pdf
│ (3.4.2)--3.4-2杂质半导体的载流子浓度.pdf
│ [3.4.1]--3.4-1杂质半导体的费米能级.mp4
│ [3.4.2]--3.4-2杂质半导体的载流子浓度.mp4
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├─{04}--第四单元
│ (4.1)--4.1载流子的漂移速度和迁移率.pdf
│ (4.2)--4.2载流子的散射.pdf
│ (4.3)--4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系.pdf
│ (4.4)--4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系.pdf
│ [4.1]--4.1载流子的漂移速度和迁移率.mp4
│ [4.2]--4.2载流子的散射.mp4
│ [4.3]--4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系.mp4
│ [4.4]--4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系.mp4
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├─{05}--第五单元
│ │ (5.1)--5.1非平衡载流子的注入与复合.pdf
│ │ (5.2)--5.2非平衡载流子的寿命和准费米能级.pdf
│ │ (5.4)--5.4载流子的扩散运动和爱因斯坦关系.pdf
│ │ (5.5)--5.5连续性方程.pdf
│ │ [5.1]--5.1非平衡载流子的注入与复合.mp4
│ │ [5.2]--5.2非平衡载流子的寿命和准费米能级.mp4
│ │ [5.4]--5.4载流子的扩散运动和爱因斯坦关系.mp4
│ │ [5.5]--5.5连续性方程.mp4
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│ └─{03}--复合理论
│ (5.3.1)--5.3-1直接复合.pdf
│ (5.3.2)--5.3-2间接复合.pdf
│ (5.3.3)--5.3-3表面复合和陷阱效应.pdf
│ [5.3.1]--5.3-1直接复合.mp4
│ [5.3.2]--5.3-2间接复合.mp4
│ [5.3.3]--5.3-3表面复合和陷阱效应.mp4
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├─{06}--第六单元
│ │ (6.3)--6.3pn结电容.pdf
│ │ (6.4)--6.4pn结击穿.pdf
│ │ (6.5)--6.5pn结隧道效应(1).pdf
│ │ [6.3]--6.3pn结电容.mp4
│ │ [6.4]--6.4pn结击穿.mp4
│ │ [6.5]--6.5pn结隧道效应.mp4
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│ ├─{01}--pn结及其能带图
│ │ (6.1.1)--6.1-1pn结的形成及空间电荷区.pdf
│ │ (6.1.2)--6.1-2pn结能带图及载流子分布.pdf
│ │ (6.1.3)--6.1-3非平衡状态下pn结能带图及电流分布.pdf
│ │ [6.1.1]--6.1-1pn结的形成及空间电荷区.mp4
│ │ [6.1.2]--6.1-2pn结能带图及载流子分布.mp4
│ │ [6.1.3]--6.1-3非平衡状态下pn结能带图及电流分布.mp4
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│ └─{02}--pn结电流电压特性
│ (6.2.1)--6.2-1理想pn结电流电压特性.pdf
│ (6.2.2)--6.2-2影响pn结电流电压特性的各种因素.pdf
│ [6.2.1]--6.2-1理想pn结电流电压特性.mp4
│ [6.2.2]--6.2-2影响pn结电流电压特性的各种因素.mp4
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├─{07}--第七单元
│ (7.1)--7.1金属和半导体的功函数.pdf
│ (7.2)--7.2金属和半导体的接触电势差.pdf
│ (7.3)--7.3表面态对接触势垒的影响.pdf
│ (7.4)--7.4金属半导体整流和非整流接触.pdf
│ [7.1]--7.1金属和半导体的功函数.mp4
│ [7.2]--7.2金属和半导体的接触电势差.mp4
│ [7.3]--7.3表面态对接触势垒的影响.mp4
│ [7.4]--7.4金属半导体整流和非整流接触.mp4
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├─{08}--第八单元
│ │ (8.1)--8.1表面态(1).pdf
│ │ (8.3)--8.3MIS结构的C-V特性.pdf
│ │ (8.4)--8.4硅-二氧化硅系统的性质(1).pdf
│ │ [8.1]--8.1表面态.mp4
│ │ [8.3]--8.3MIS结构的C-V特性.mp4
│ │ [8.4]--8.4硅-二氧化硅系统的性质.mp4
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│ └─{02}--表面电场效应
│ (8.2.1)--8.2-1空间电荷区类型及其电场电势电容.pdf
│ (8.2.2)--8.2-2空间电荷层性质.pdf
│ [8.2.1]--8.2-1空间电荷区类型及其电场电势电容.mp4
│ [8.2.2]--8.2-2空间电荷层性质.mp4
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├─{09}--第十单元
├─{10}--第十一单元
├─{11}--第十二单元
├─{12}--第十三单元
├─{13}--第十四单元
├─{14}--第十五单元
└─{15}--第十六单元